2025年6月上海市普通高中学业水平合格性考试化学仿真模拟卷03试卷+答案+解析+答题卡

分类:合格考试卷 日期: 适用省份:上海卷

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2025年6月上海市普通高中学业水平合格性考试

化学仿真模拟卷03

(考试时间:60分钟;满分:100分)

1.本考试分设试卷和答题纸。答题前,务必在答题纸上填写学校、姓名、座位号,并将核对后的条形码贴在指定位置上。作答必须涂或写在答题纸上,在试卷上作答一律不得分。

2.选择类试题中,标注“不定项”的试题,每小题有1~2个符合条件的选项;标注“双选”的试题,每小题有两个符合条件的选项;标注“单选”的试题,每小题只有一个符合条件的选项。

3.可能用到的相对原子质量:H-1  C-12  N-14  O-16  Na-23  Al-27  S-32  Cl-35.5  Ca-40  Fe-56  Cu-64  Zn-65  Ba 137

一、新型半导体材料(17分)

2025年5月7日,印度和巴基斯坦发生交火,巴方击落5架印度战机。目前,氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)已成为5G电子设备和大型搜索雷达的优选半导体,正逐步引领过渡至战斗机火控雷达的应用,现代战斗机少不了它们。

 

1.元素As在元素周期表中的位置是       ,原子核外能量最高的电子位于        层(填电子层符号)。

2.Ga为门捷列夫预言的“类铝”,下列有关说法正确的是___________。

A.原子半径(Ga)>r(As)

B.Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Al元素最高价氧化物对应水化物的碱性强

C.Ga的最高价氧化物化学式为Ga2O3,熔点比Al2O3高

D.Ga在干燥空气中可能较稳定并生成氧化物薄膜阻止金属继续氧化

3.溴与砷同周期,以下大小关系正确的是___________。

A.非金属性:N<于As                  B.稳定性:NH3>AsH3

C.酸性:HBrO4<H3AsO4            D.还原性:Br->As3-

已知GaCl3、GaN、GaAs熔融状态均不导电,熔点如下:

4.下列关于以上三种晶体的说法正确的是___________。

A.晶体中都含有Ga3+                    B.构成晶体的基本微粒都相同

C.都是共价化合物                      D.晶体中都只含有一种作用力

5.试解释上述三种晶体熔点高低的原因           。

6.270℃时,氯化镓蒸汽相对于氧气的密度为11,推测此时氯化镓的分子式为           。

7.废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解,放出红棕色气体,同时生成H3AsO4和Ga(NO3)3。写出该反应的化学方程式,并标出转移电子方向和数目           。

【答案】1.第四周期VA族(2分)     N(2分)

2.B(2分)

3.B(2分)

4.C(2分)

5.GaAs和GaN均是共价晶体,GaCl3是分子晶体(2分)

6.Ga2Cl6(2分)

7. (3分)

【解析】1.①砷元素原子核外有四个电子层,最外层电子数为五,位于周期表第四周期VA族;②砷元素能量最高的电子层为第四层电子层,其序号为N;

2.镓是类铝,镓和铝位于同一主族;A项,元素镓和砷位于同一周期,砷的原子序数大,镓原子半径大,A错误;B项,镓的金属性强于铝,其最高价氧化物对应水化物碱性强,B正确;C项,镓和铝同一主族,二者氧化物均为离子晶体,但氧化铝的晶格能大熔点高;C错误;D项,金属镓会和空气中的氧气剧烈反应,D错误;故选B;

3.题干中溴与砷同周期,A项,氮元素和砷元素位于同一主族,N的非金属性强于As,A错误;B项,N的非金属性强于As,NH3的稳定性强于AsH3,B正确;C项,Br的非金属性强于As,HBrO4的酸性强于H3AsO4,C错误;D项,单质的氧化性Br2>As,离子的还原性Br-<As3-;D错误;故选B;

4.A项,三种物质均不是离子晶体或金属晶体,故不存在Ga3+,A错误;B项,.因为共价晶体和分子晶体构成粒子不同,氮化镓和砷化镓均为共价晶体而氯化镓为分子晶体,B错误;C项,共价晶体和共价晶体均属于共价化合物,C正确;D项,氯化镓为分子晶体,分子内存在共价键,分子间存在范德华力,D错误;故选C;

5.因为共价晶体的熔点高于分子晶体的熔点,氮化镓和砷化镓均为共价晶体而氯化镓为分子晶体,氯化镓的熔点最低;氮的原子半径小于砷的原子半径,对于共价晶体而言,键长越长,键能越小,熔点越小;

6.270℃时,氯化镓蒸汽相对于氧气的密度为11,此时氯化镓的相对分子质量为352,而GaCl3的相对



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