模块一：易错试题精选
1．通过反应4BI(g)+As4(g) 4BAs(s，晶体)+6I2(g)可制备具有超高热导率半导体材料——BAs晶体。下列说法错误的是
A．图(a)表示As4结构，As4分子中成键电子对数与孤对电子数之比为3：1
B．图(b)表示单质硼晶体B12的基本结构单元，该基本单元为正二十面体
C．图(b)所示单质硼晶体的熔点为2180℃，它属于共价晶体
D．图(c)表示BAs的晶胞结构，距离As原子最近且相等的B原子有4个
【答案】A
【详解】A．图(a)表示 结构，每个 原子最外层有5个电子，形成3个 键，还有1对孤对电子， 分子中成键电子对数(共6对)与孤对电子数(共4对)之比为3∶2，A错误；
B．图(b)表示单质硼晶体 的基本结构单元，每个面都是由3个B原子形成的正三角形，一共有20个正三角形，所以该基本单元为正二十面体，B正确；
C．单质硼晶体的熔点为 ，熔点较高，且原子间通过共价键结合，属于共价晶体，C正确；
D． 晶胞中，较大的原子为 原子，距离 原子最近且相等的B原子有4个，D正确；
答案选A。
2．我国科学家合成了富集11B的非碳导热材料立方氮化硼晶体，其晶胞结构如图。下列说法正确的是
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